山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）于2010年在济南成立，是我国最早从事碳化硅衬底制备的企业之一。十几年来，天岳先进专注于碳化硅衬底制备，自主攻克了碳化硅晶体生长、衬底加工等一系列国际难题，掌握碳化硅衬底材料产业化核心关键技术，成为全球少数几家可批量供应高品质碳化硅衬底产品的企业。
　　
　　作为一家专注于碳化硅衬底材料研发、生产和销售的高科技企业，天岳先进是我国在该领域的制造业单项冠军示范企业、国家专精特新“小巨人”重点企业。2022年1月12日，天岳先进登陆A股科创板上市，是我国专注于碳化硅衬底领域首家，也是唯一的上市公司。
　　
　　据悉，天岳先进已实现了核心战略材料的自主可控，有力保障国内产品的供应，确保我国宽禁带半导体产业链的平稳发展。根据国际知名行业咨询机构Yole的统计，2019年—2023年连续五年，天岳先进已跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三。
　　
　　天岳先进董事长宗艳民曾在接受采访时表示，“创新是企业的根本，也是企业的生命。”2017年，天岳先进实现了碳化硅半导体衬底的量产。碳化硅衬底的尺寸也从最初的两英寸，到后来的四英寸、六英寸，直至目前已经量产的八英寸。
　　
　　如今，天岳先进研发生产的碳化硅产品，包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底，主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是芯片、电子器件等基础性的核心关键材料。
　　
　　第三代半导体被称为“未来电子产业基石”，指的是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。和传统材料相比，第三代半导体因性能优势，在半导体照明、新能源汽车、新一代移动通信、新能源并网、高速轨道交通等领域具有广阔的应用前景。
　　
　　碳化硅单晶衬底制备具有极高的技术壁垒，目前，国际上仍然只有少数企业能够实现大规模生产。天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。在大尺寸单晶高效制备方面，公司最新技术制备的晶体厚度已突破60mm。
　　
　　随着《“十四五”现代能源体系规划》《关于加快推进能源数字化智能化发展的若干意见》等文件的出台，我国推动能源数字化、绿色化转型的步伐不断加快。基于碳化硅材料制作的功率器件具有耐高温、耐高压、开关速度快等优势，可大幅提升系统耐压的同时，降低电能转换功耗，提高能量转换效率，达到减排增效的效果，已经在电动汽车、储能、光伏等新能源领域获得广泛应用。

　　“未来，碳化硅器件在电动汽车领域，将是一个巨大的蓝海市场。”宗艳民曾这样说，“我们必须要凭借过硬的科技创新能力来迎接不断扩大的市场需求。”